一、答辩时间:2024年5月8日(周三)9 :00 -13:00
二、 答辩地点:南海校园行政楼211会议室
三、答辩委员会成员
答 辩 委 员 会 成 员 | 姓 名 | 职 称 | 硕/博导 | 所 在 单 位 | 备 注 | |
罗鑫 | 教授 | 博导 | 中山大学 | 答辩主席 | ||
董华锋 | 教授 | 博导 | 广东工业大学 | 委员 | ||
侯贤华 | 教授 | 博导 | 华南师范大学 | 委员 | ||
江丰 | 研究员 | 博导 | 华南师范大学 | 委员 | ||
王幸福 | 研究员 | 博导 | 华南师范大学 | 委员 | ||
答辩秘书 姓名 | 刘铁忠 | 职称 | 副研究员 |
四、答辩学生
序号 | 学生 姓名 | 导师 姓名 | 专业 名称 | 论文题目 | 时间 安排 |
1 | 郑涛 | 李京波 | 凝聚态物理 | 基于二维范德华异质结的能带设计及其光电性能调制研究 | 9:00-10:00 |
2 | 李翎 | 李京波 | 电子科学与技术 | 基于二维范德华异质结的场效应与光电特性及其应用研究 | 10:00-11:00 |
3 | 朱玲玉 | 李京波霍能杰 | 微电子学与固体电子学专业 | 二维碲结型场效应晶体管的制备及其高效栅控电学特性的研究 | 11:00-11:30 |
4 | 陈姝廷 | 霍能杰 | 微电子与固体电子学 | 基于二维半导体与GaN混维异质结的结型场效应晶体管及光电性能研究 | 11:30-12:00 |
5 | 赵磊 | 霍能杰 | 微电子学与固体电子学 | 基于二维铁电负电容效应的CuInP2S6/WS2晶体管器件研究 | 12:00-12:30 |
6 | 潘志东 | 李京波霍能杰 | 微电子学与固体电子学 | 基于二维易氧化薄层的忆阻器及其应用研究 | 12:30-13:00 |
五、答辩程序
1.答辩委员会主席宣布答辩委员会成员和秘书名单、学位申请人及指导教师姓名、学位论文题目等,并主持会议。
2.学位申请人宣读《论文原创性声明》。
3.学位申请人就论文的研究内容、研究方案、研究成果、创新之处等进行报告,硕士生陈述时间不少于15分钟,博士生陈述时间不少于30分钟。申诉再送审并通过的学位申请人,答辩时须对不同意答辩的评阅意见作出书面申辩说明,并提交答辩委员会讨论与审议。
4.答辩委员提问和学位申请人答辩时间,硕士生不少于15分钟,博士生不少于30分钟。
5.休会,答辩委员会举行内部会议进行评议,对学位论文的学术水平和答辩人的答辩情况进行评议,就是否通过学位论文答辩和建议授予学位进行表决,并形成答辩委员会决议。表决采取无记名投票方式,经全体委员2/3以上(含2/3)同意方为通过,否则为不通过,答辩委员会决议须由主席签字。
6.复会,由答辩委员会主席宣布答辩委员会表决结果和答辩委员会决议。
7.答辩委员会主席宣布论文答辩会结束。