2021级硕士研究生毕业答辩安排7

2024-04-29 08:21:00

一、答辩时间：2024年5月10 日（周五） 14：30-16：30

二、答辩地点：石牌校园半导体科学与技术学院四楼会议室

三、答辩委员会成员

四、答辩学生

序号	学生姓名	导师姓名	专业名称	论文题目	时间安排
1	胡玉诚	江丰	材料物理与化学	基于Ag掺杂的Cu₃BiS₃半导体薄膜光电极太阳能制氢性能研究	14：30-14：50
2	肖国鸿	江丰	材料物理与化学	梯度缺铜元素分布对CZTS薄膜光电极太阳光水解制氢性能的影响	14：50-15：10
3	吴晓敏	江丰	材料物理与化学	铜基半导体Cu₃BiS₃光伏薄膜电极层间界面性能调控对太阳能制氢性能的影响研究	15：10-15：30
4	倪欢扬	江丰	电子信息	电解液环境对GeSe半导体薄膜太阳能制氢性能影响的研究	15：30-15：50
5	钟凌波	郑树文	材料物理与化学	β-Ga₂O₃微米线深紫外探测器的制备及性能研究	15：50-16：10
6	任钰科	郑树文	电子信息	GaN基垂直型凹槽栅MOSFET的结构设计与优化	16：10-16：30

五、答辩程序

1.答辩委员会主席宣布答辩委员会成员和秘书名单、学位申请人及指导教师姓名、学位论文题目等，并主持会议。

2.学位申请人宣读《论文原创性声明》。

3.学位申请人就论文的研究内容、研究方案、研究成果、创新之处等进行报告，硕士生陈述时间不少于15分钟，博士生陈述时间不少于30分钟。申诉再送审并通过的学位申请人，答辩时须对不同意答辩的评阅意见作出书面申辩说明，并提交答辩委员会讨论与审议。

4.答辩委员提问和学位申请人答辩时间，硕士生不少于15分钟，博士生不少于30分钟。

5.休会，答辩委员会举行内部会议进行评议，对学位论文的学术水平和答辩人的答辩情况进行评议，就是否通过学位论文答辩和建议授予学位进行表决，并形成答辩委员会决议。表决采取无记名投票方式，经全体委员2/3以上(含2/3)同意方为通过，否则为不通过，答辩委员会决议须由主席签字。

6.复会，由答辩委员会主席宣布答辩委员会表决结果和答辩委员会决议。

7.答辩委员会主席宣布论文答辩会结束。