2021级硕士研究生毕业答辩安排2

2024-04-21 15:48:00

一、答辩时间:2024年5月8日(周三)13 : 00 -17:00

二、答辩地点:南海校园行政楼317会议室

三、答辩委员会成员

 答  辩  委  员  会  成  员

姓 名

职 称

硕/博导

所  在  单  位

备 注

郑照强

副教授

硕导

广东工业大学

答辩主席

姚建东

副教授

硕导

中山大学

委员

严佳豪

副教授

硕导

暨南大学

委员

汤锦基

教授级高级工程师

博导

广州安凯微电子股份有限公司

委员

刘霄

副研究员

硕导

华南师范大学

委员

答辩秘书 姓名

杨孟孟

职称

副研究员

       四、答辩学生

序号

学生

姓名

导师

姓名

专业

名称

论文题目

时间

安排

1

黎仲铭

高伟

  李京波

材料物理与化学

基于双极性半导体异质结的能带设计及其光电晶体管的应用研究

13:00-13:20

2

蓝志彬

高伟

  李京波

电子信息

基于Bi2Se3双范德华异质结自驱动光电探测器

13:20-13:40

3

罗欣

高伟

  李京波

电子信息

组分依赖负微分跨导调控及其二维多元反相器的应用基础研究

13:40-14:00

4

陈晟迪

高伟

  李京波

电子信息

基于III型能带对齐的GeS/SnSe2光电晶体管的性能研究

14:00-14:20

5

简亮

李京波

 杨孟孟

电子信息

基于水处理实现WS2面内同质结器件和反双极性的研究

14:20-14:40

6

马婧怡

高伟

  李京波

电子信息

基于二维MoTe2/SnSe2破缺型能带排列的新型光电子器件研究

14:40-15:00

7

黄坚明

高伟

  李京波

电子信息

二维WSe2肖特基结可重构晶体管

及其光电逻辑功能研究

15:00-15:20

8

吴望龙

高伟

  李京波

电子信息

二维 ReSe2/WSe2异质结及三维 GaN HEMT 光电探测 器的构筑与器件性能研究

15:20-15:40

9

刘海毅

高伟

  李京波

电子信息

基于二维ReS2/WSe2异质结光电探测器及其自动避障小车系统应用

15:40-16:00

10

刘传凯

高伟

  李京波

电子信息

耗尽型GaN HEMT电学性能与增强型p-GaN埋层HEMT紫外光电探测的研究

16:00-16:20

11

汪禹

高伟

 李京波

电子信息

GaN基HEMT光电探测器的结构设计及其性能研究

16:20-16:40

12

钱昊

高伟

李京波

微电子与固体电子学

P型GaN栅增强型GaN HEMT的外延生长及其器件研究

16:40-17:00

        五、答辩程序

1.答辩委员会主席宣布答辩委员会成员和秘书名单、学位申请人及指导教师姓名、学位论文题目等,并主持会议。

2.学位申请人宣读《论文原创性声明》。

3.学位申请人就论文的研究内容、研究方案、研究成果、创新之处等进行报告,硕士生陈述时间不少于15分钟,博士生陈述时间不少于30分钟。申诉再送审并通过的学位申请人,答辩时须对不同意答辩的评阅意见作出书面申辩说明,并提交答辩委员会讨论与审议。

4.答辩委员提问和学位申请人答辩时间,硕士生不少于15分钟,博士生不少于30分钟。

5.休会,答辩委员会举行内部会议进行评议,对学位论文的学术水平和答辩人的答辩情况进行评议,就是否通过学位论文答辩和建议授予学位进行表决,并形成答辩委员会决议。表决采取无记名投票方式,经全体委员2/3以上(含2/3)同意方为通过,否则为不通过,答辩委员会决议须由主席签字。

6.复会,由答辩委员会主席宣布答辩委员会表决结果和答辩委员会决议。

 7.答辩委员会主席宣布论文答辩会结束。