工学部半导体科学与技术学院硕士研究生答辩安排-2
一、答辩时间：2024年5月8日（周三）13 时 00 分-17时00分，答辩地点：南海校园行政楼317会议室
二、答辩委员会成员
答 辩 委 员 会 成 员 | 姓 名 | 职 称 | 硕/博导 | 所 在 单 位 | 备 注 | |
郑照强 | 副教授 | 硕导 | 广东工业大学 | 答辩主席 | ||
姚建东 | 副教授 | 硕导 | 中山大学 | 委员 | ||
严佳豪 | 副教授 | 硕导 | 暨南大学 | 委员 | ||
汤锦基 | 教授级高级工程师 | 博导 | 广州安凯微电子股份有限公司 | 委员 | ||
刘霄 | 副研究员 | 硕导 | 华南师范大学 | 委员 | ||
答辩秘书 姓名 | 杨孟孟 | 职称 | 副研究员 | |||
三、答辩学生
序号 | 学生 姓名 | 导师 姓名 | 专业 名称 | 论文题目 | 时间 安排 |
1 | 黎仲铭 | 高伟，李京波 | 材料物理与化学 | 基于双极性半导体异质结的能带设计及其光电晶体管的应用研究 | 13:00-13:20 |
2 | 蓝志彬 | 高伟，李京波 | 电子信息 | 基于Bi2Se3双范德华异质结自驱动光电探测器 | 13:20-13:40 |
3 | 罗欣 | 高伟，李京波 | 电子信息 | 组分依赖负微分跨导调控及其二维多元反相器的应用基础研究 | 13:40-14:00 |
4 | 陈晟迪 | 高伟，李京波 | 电子信息 | 基于III型能带对齐的GeS/SnSe2光电晶体管的性能研究 | 14:00-14:20 |
5 | 简亮 | 李京波，杨孟 | 电子信息 | 基于水处理实现WS2面内同质结器件和反双极性的研究 | 14:20-14:40 |
6 | 马婧怡 | 高伟，李京波 | 电子信息 | 基于二维MoTe2/SnSe2破缺型能带排列的新型光电子器件研究 | 14:40-15:00 |
7 | 黄坚明 | 高伟，李京波 | 电子信息 | 二维WSe2肖特基结可重构晶体管 及其光电逻辑功能研究 | 15:00-15:20 |
8 | 吴望龙 | 高伟，李京波 | 电子信息 | 二维 ReSe2/WSe2异质结及三维 GaN HEMT 光电探测 器的构筑与器件性能研究 | 15:20-15:40 |
9 | 刘海毅 | 高伟，李京波 | 电子信息 | 基于二维ReS2/WSe2异质结光电探测器及其自动避障小车系统应用 | 15:40-16:00 |
10 | 刘传凯 | 高伟，李京波 | 电子信息 | 耗尽型GaN HEMT电学性能与增强型p-GaN埋层HEMT紫外光电探测的研究 | 16:00-16:20 |
11 | 汪禹 | 高伟，李京波 | 电子信息 | GaN基HEMT光电探测器的结构设计及其性能研究 | 16:20-16:40 |
12 | 钱昊 | 高伟 李京波 | 微电子与固体电子学 | P型GaN栅增强型GaN HEMT的外延生长及其器件研究 | 16:40-17:00 |
四、答辩程序
1.答辩委员会主席宣布答辩委员会成员和秘书名单、学位申请人及指导教师姓名、学位论文题目等，并主持会议。
2.学位申请人宣读《论文原创性声明》。
3.学位申请人就论文的研究内容、研究方案、研究成果、创新之处等进行报告，硕士生陈述时间不少于15分钟，博士生陈述时间不少于30分钟。申诉再送审并通过的学位申请人，答辩时须对不同意答辩的评阅意见作出书面申辩说明，并提交答辩委员会讨论与审议。
4.答辩委员提问和学位申请人答辩时间，硕士生不少于15分钟，博士生不少于30分钟。
5.休会，答辩委员会举行内部会议进行评议，对学位论文的学术水平和答辩人的答辩情况进行评议，就是否通过学位论文答辩和建议授予学位进行表决，并形成答辩委员会决议。表决采取无记名投票方式，经全体委员2/3以上(含2/3)同意方为通过，否则为不通过，答辩委员会决议须由主席签字。
6.复会，由答辩委员会主席宣布答辩委员会表决结果和答辩委员会决议。
7.答辩委员会主席宣布论文答辩会结束。