氦镉激光器是一种金属蒸气离子激光器。其中产生激光跃迁的是镉离子（Cd+)，氦气（He）作为辅助气体。它与氦氖激光器类似，可以在直流放电的条件下连续工作。它比氦氖激光有更高的输出功率（一般为几十毫瓦），发射波长较短，为441.6nm（蓝紫色）和325nm（紫外）。

蓝光LED的基础材料，宽禁带的III-V族半导体（如GaN，InGaAn等）需要短波长的激光光源。HeCd激光器提供325nm优质、稳定的激光输出，可用于半导体材料的研发。