国家技术发明一等奖获得者、南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心主任、江风益教授应邀在华南师范大学“新世纪论坛”作学术讲座。该论坛将进一步提升我校在该领域技术与科研的整体水平，为相关人员提供技术学习及交流平台。

题目：硅衬底发光二极管技术创新之回顾

时间：2016年4月27日（周三） 上午10：00-12：00

地点：石牌校区 行政楼七楼第一会议室

欢迎有兴趣的老师和学生参与！

光电子材料与技术研究所

2016年4月21日

江风益教授简介：

江风益教授，男, 1963年生，南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心主任、科技部半导体照明技术创新团队带头人、教育部半导体照明技术创新团队带头人、国家863计划半导体照明工程重大专项专家组副组长。中组部、中宣部、人事部和科技部联合授予全国杰出专业技术人才称号。

江风益教授先后从事过10余种半导体发光材料与器件的研究开发工作，主持并完成了国家863计划重大专项、电子发展基金项目、江西省重点重大科技项目等20余项项目。代表性成果为“硅衬底氮化镓基LED材料生长与芯片制造技术”， 在第一代半导体硅材料上，成功地制备了高质量的第三代半导体GaN材料，成功研制硅衬底垂直结构的GaN蓝光/绿光LED芯片，并在国际上率先实现了这一新技术产品的批量生产。这一技术使国家在半导体照明技术领域从跟踪走向了跨越， 2015年，硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管技术获得国家技术发明奖中唯一一等奖。江风益教授授权发明专利40多项。发表SCI/EI论文50余篇，SCI他引400多次。