郑树文副研究员，工学博士，硕士研究生导师，工学部电子科学与工程学院（微电子学院）。从事科学研究工作二十多年，长期在一线从事半导体材料计算、薄膜沉积、器件设计与制作等方面的研究工作。主持或参与的国家和省市重大科研项目十多项，在LED器件研制和宽能隙材料物性计算等方面，积累了丰富科研经历。由于科研成果突出，获得2011年的广东省科学技术二等奖。多次指导研究生获得国家奖学金。联系邮箱：zhengshuwen@scnu.edu.cn

工作经历:

2001年7月至2008年11月，从事光电器件的外延生长和LED器件结构设计、新型Bragg反射器分析等工作，独立使用进口MOCVD系统生长出高质量LED外延片。2008年12月至2012年8月，开展白光 LED器件的新型结构设计 、白光LED的荧光材料、散热材料配制与电泳法沉积、高质量光源结构研制，高压LED产品开发等任务，其间申请和授权了一系列发明专利。2012年9月至2021年，开展新一代半导体材料（主要ZnO、Ga2O3基材料）薄膜生长和纳米结构工艺研究。

2013年至现在,  开展基于密度泛函理论（第一性原理）的材料物性计算，包括材料掺杂与缺陷物理问题与光催化、水解氢等内容的探索。此外，还指导学生开展基于半导体电子高速器件的设计与计算工作，包括MOSFET、HEMT等。

2006年9月至2019年6月，负责研究生《现代半导体材料测试与分析技术》和《功能材料计算与器件设计》的教学任务。2019年9月至今，负责研究生《计算材料学》的教学任务。2023年3月至今，负责本科生《工程制图实践》基础课的教学任务。

研究项目：

主持或以项目主要人员身份参与国家、省市的各类项目十多项，其中包括： 

1. 国家项目“超高亮度LED和面发光半导体激光器”，2001.07~2002.08

2. 广东省电致光电器件重点实验室的建设项目，2002.09~现在

3. 广州市重大科技应用项目“广州市LED工业研究开发基地”的筹建、设备采购和实验室测量部门负责人，2006.06~2008.12

4. 华南师范大学青年教师项目“基于白光LED封装的新型荧光PC材料研究”，2013.1~2014.12

5. 国家自然科学基金面上项目“影响氮化镓基蓝色发光二极管响应时间关键因素的研究”，2012.1~2014.12 

6. 广东省战略性新兴产业专项“高显色高效率高稳定性LED模组灯具的研制及产业化”，2013.10~2015.9

7. 广州市科技计划项目，Si 和Ta 掺杂Ga2O3透明导电材料的物性计算与制备研究， 2016.04 ~2018.03

近几年发表论文：

1. Zhihao Xi,Nan Chen,Jincheng Cai,Shuti Li,and Shuwen Zheng*，Electric-field-tuned transport properties and Stark effect in two-dimensional Ga2O3 and its alloys,PHYSICAL REVIEW B 112, (2025) 115310

2. Fan Yang,Xinxin Li, Yuke Ren, Shuti Li and Shuwen Zheng∗,Effect of dual-channel structures on DC characteristics of vertical trench GaN-based MOSFETs,Semicond. Sci. Technol. 40 (2025) 055007

3. Nan Chen, Zhihao Xi, Xiaochen Ma, Shuti Li, Shuwen Zheng*,Electronic structures and optical properties of Hf-, Zr- and Nb-doped 2D β-Ga2O3,Physica B:Condensed Matter 703 (2025) 417000

4. Zhihao Xi, Nan Chen, Jincheng Cai, Chao Xu, Shuti Li, Shuwen Zheng*, Modulation of electronic structures and transport properties in 2D TM0.5Ga1.5O3  (TM = Al, Ga, In), Physics Letters A 525 (2024) 129914

5. Yuchen Guo, Yuke Ren, Zhihao Peng, Xiaochen Ma, Shuti Li,Shuwen Zheng*,Effect of lateral inhomogeneous AlGaN barrier layer on electronic properties of GaN HEMTs, Micro and Nanostructures191 (2024) 207871

6. Liu.NN; Gu, HM; Wei.Y; Zheng. SW*，Performance enhancement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes by using stepped and super- lattice n-type confinement layer,Superlattices and Microstructures,141 (2020):106492

7. Zheng.T; Wang.Q; Dang. JN; He. W; Wang.LY; Zheng. SW*, Effects of Si concentration on electronic structure and optical gap of Si-doped beta-Ga2O3，COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE,174 (2020):109505

8. Liyun Wang, Wei He, Tao Zheng, Zhanxu Chen, Shuwen Zheng*, Enhanced optical performance of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diode with m-shaped hole blocking layer and w-shaped electron blocking layer, Superlattices and Microstructures, 133 (2019):106188

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授权专利（部分）：

1. 郑树文; 郑涛; 尚秋月; 张涛，一种Ga2O3基共掺杂材料靶及其制备方法，中国发明专利，授权号：CN109053157B，授权日期：2021.07.09

2. 郑树文; 郑涛; 尚秋月; 李述体，一种Ga2O3基透明导电薄膜及其制备方法，中国发明专利，授权号：CN109082631B，授权日期：2020.10.13

3. 郑树文; 王立云; 何伟; 郑涛，一种紫外LED外延结构，中国发明专利，授权号：CN110224048B，授权日期：2020.05.05

4. 何苗; 王志成; 丛海云; 郑树文，一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，中国发明专利，授权号：CN107195586B 授权日期：2019.08.09

5. 何苗; 王志成; 黄波; 丛海云; 郑树文，一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法，中国发明专利，授权号：CN107195533B 授权日期：2019.07.19

6. 郑树文; 韩振伟; 范广涵; 何苗，一种LED按摩梳，中国实用新型专利，授权号：CN207012334U 授权日期：2018.02.16。

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