郑树文副研究员，工学博士，硕士研究生导师，工学部电子科学与工程学院（微电子学院）。从事科学研究工作二十多年，长期在一线从事半导体材料计算、薄膜沉积、器件设计与制作等研究工作。主持或参与的国家和省市重大科研项目十多项，在LED器件研制和宽能隙材料物性计算等方面，积累了丰富科研经历。曾获得广东省科学技术奖二等奖。多次指导研究生获得国家奖学金。联系邮箱：zhengshuwen@scnu.edu.cn 。欢迎有志向从事半导体材料计算和光电器件设计领域的同学报读。

工作经历:

2001年至2007年，从事光电器件的外延生长、LED器件结构和新型Bragg反射器设计等工作。2008年至2012年，开展白光 LED器件新型结构设计和LED荧光材料的配制，用电泳工艺在散热器上沉积均匀可控的高散热材料。此外还开展LED应用光源的研发，申请和授权了一系列中国发明专利。2012年至2022年，开展宽能隙半导体材料（主要ZnO、Ga2O3基材料）的薄膜沉积和纳米结构调控研究。

从2013年起,  开展了基于密度泛函理论（第一性原理）的材料物理计算工作，包括掺杂、应变、缺陷的物理问题分析。指导学生开展基于半导体电子高速器件的设计工作，包括MOSFET、HEMT等。最近指导研究生开展光解水、电催化、固态电池以及人工智能的材料预测研究。

负责研究生《计算材料学》和本科生《工程制图》的教学任务。

研究项目：

主持或以项目主要人员身份参与国家、省市的各类项目十多项，其中包括： 

1. 国家项目“超高亮度LED和面发光半导体激光器”；

2. 广东省电致光电器件重点实验室的建设项目；

3. 广州市重大科技应用项目“广州市LED工业研究开发基地”的筹建、设备采购和实验室测量部门负责人；

4. 华南师范大学青年教师项目“基于白光LED封装的新型荧光PC材料研究”；

5. 国家自然科学基金面上项目“影响氮化镓基蓝色发光二极管响应时间关键因素的研究”；

6. 广东省战略性新兴产业专项“高显色高效率高稳定性LED模组灯具的研制及产业化”；

7. 广州市科技计划项目，Si 和Ta 掺杂Ga2O3透明导电材料的物性计算与制备研究。

。。。。。。

近3年发表论文：

1. Jincheng Cai,Jingze Xu,Shuhao Dai,Zhihao Xi, Shuti Li,and Shuwen Zheng*, Strain-engineered Ga O /g-GeC heterojunction for S-scheme photocatalytic water splitting, Journal of Materials Chemistry A 14 (2026) 34318

2. Jincheng Cai, Shuhao Dai, Zhihao Xi, Jingze Xu,Shuti Li,and Shuwen Zheng*, Enhancing photocatalytic hydrogen production in ε-Ga2O3 via doping and strain: A shell DFT-1/2+U approach, Journal of Power Sources,679 (2026) 240244

3. Shutao Zheng,Yiqin Xu,Zhiqing Zhang,Zhongrui Qu,Zhiliang Gu, and Shuwen Zheng*, Design of a compact four-lens collimation system with integrated light recycling, Applied Optics,65 (2026): 051586

4. Zhihao Xi,Nan Chen,Jincheng Cai,Shuti Li,and Shuwen Zheng*，Electric-field-tuned transport properties and Stark effect in two-dimensional Ga2O3 and its alloys,PHYSICAL REVIEW B 112 (2025) 115310

5. Fan Yang, Xinxin Li, Yuke Ren, Shuti Li and Shuwen Zheng∗, Effect of dual-channel structures on DC characteristics of vertical trench GaN-based MOSFETs,Semicond. Sci. Technol. 40 (2025) 055007

6. Nan Chen, Zhihao Xi, Xiaochen Ma, Shuti Li, Shuwen Zheng*,Electronic structures and optical properties of Hf-, Zr- and Nb-doped 2D β-Ga2O3,Physica B:Condensed Matter 703 (2025) 417000

7. Zhihao Xi, Nan Chen, Jincheng Cai, Chao Xu, Shuti Li, Shuwen Zheng*, Modulation of electronic structures and transport properties in 2D TM0.5Ga1.5O3  (TM = Al, Ga, In), Physics Letters A 525 (2024) 129914

8. Yuchen Guo, Yuke Ren, Zhihao Peng, Xiaochen Ma, Shuti Li,Shuwen Zheng*,Effect of lateral inhomogeneous AlGaN barrier layer on electronic properties of GaN HEMTs, Micro and Nanostructures191 (2024) 207871

。。。。。。

授权专利（部分）：

1. 郑树文; 郑涛; 尚秋月; 张涛，一种Ga2O3基共掺杂材料靶及其制备方法，中国发明专利，授权号：CN109053157B，授权日期：2021.07.09

2. 郑树文; 郑涛; 尚秋月; 李述体，一种Ga2O3基透明导电薄膜及其制备方法，中国发明专利，授权号：CN109082631B，授权日期：2020.10.13

3. 郑树文; 王立云; 何伟; 郑涛，一种紫外LED外延结构，中国发明专利，授权号：CN110224048B，授权日期：2020.05.05

4. 郑树文; 韩振伟; 范广涵; 何苗，一种LED按摩梳，中国实用新型专利，授权号：CN207012334U 授权日期：2018.02.16。

。。。。。。