工学部半导体科学与技术学院硕士研究生答辩安排-3
一、答辩时间：2024年 5 月 9 日（周四）9 时 00 分-12时00 分
答辩地点： 石牌校园 半导体科学与技术学院 四楼会议室
二、答辩委员会成员
答 辩 委 员 会 成 员 | 姓 名 | 职 称 | 硕/博导 | 所 在 单 位 | 备 注 | |
郭康贤 | 教授 | 博导 | 广州大学 | 答辩主席 | ||
倪海勇 | 高级工程师 | 硕导 | 广东省科学院 | 委员 | ||
张桂东 | 教授 | 博导 | 广东工业大学 | 委员 | ||
蒙红云 | 教授 | 博导 | 华南师范大学 | 委员 | ||
王幸福 | 教授 | 博导 | 华南师范大学 | 委员 | ||
答辩秘书 姓名 | 高芳亮 | 职称 | 副研究员 | |||
三、答辩学生
序号 | 学生 姓名 | 导师 姓名 | 专业 名称 | 论文题目 | 时间 安排 |
1 | 陈坤 | 李述体 | 材料物理与化学 | GaN基单根微米线激光器的设计与制备 | 9:00-9:30 |
2 | 徐明俊 | 李述体 | 材料物理与化学 | 基于氮化镓与二维材料异质结构的双极型晶体管的研究
| 9:30-10:00 |
3 | 贺宇浩 | 李述体 | 电子信息 | 具有沟槽终端结构和AlON/HfO2栅介质叠层的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件特性研究 | 10:00-10:30 |
4 | 石宇豪 | 李述体 | 材料物理与化学 | 双金属阳极AlGaN/GaN肖特基势垒二极管设计与制备研究 | 10:30-11:00 |
5 | 许腾文 | 李述体 | 电子信息 | GaN/AlGaN HEMT新结构设计与优化 | 11:00-11:30 |
6 | 杨纪锐 | 李述体 | 电子信息 | 基于表面工程的多孔GaN光电极 制备及其光电性能研究 | 11:30-12:00 |
四、答辩程序
1.答辩委员会主席宣布答辩委员会成员和秘书名单、学位申请人及指导教师姓名、学位论文题目等，并主持会议。
2.学位申请人宣读《论文原创性声明》。
3.学位申请人就论文的研究内容、研究方案、研究成果、创新之处等进行报告，硕士生陈述时间不少于15分钟，博士生陈述时间不少于30分钟。申诉再送审并通过的学位申请人，答辩时须对不同意答辩的评阅意见作出书面申辩说明，并提交答辩委员会讨论与审议。
4.答辩委员提问和学位申请人答辩时间，硕士生不少于15分钟，博士生不少于30分钟。
5.休会，答辩委员会举行内部会议进行评议，对学位论文的学术水平和答辩人的答辩情况进行评议，就是否通过学位论文答辩和建议授予学位进行表决，并形成答辩委员会决议。表决采取无记名投票方式，经全体委员2/3以上(含2/3)同意方为通过，否则为不通过，答辩委员会决议须由主席签字。
6.复会，由答辩委员会主席宣布答辩委员会表决结果和答辩委员会决议。
7.答辩委员会主席宣布论文答辩会结束。