2021级硕士研究生毕业答辩安排1

2024-04-21 15:46:00

一、答辩时间：2024年5月8日（周三）8 ：30 -12：30

二、答辩地点：南海校园行政楼317会议室

三、答辩委员会成员

四、答辩学生

序号	学生姓名	导师姓名	专业名称	论文题目	时间安排
1	杨亚妮	霍能杰	电子信息	基于界面工程实现高性能WS₂基光电探测器的研究	8:30-8:50
2	孟雪峰	霍能杰	电子信息	基于二维 1T-MoTe₂偏振光电子器件的研究	8:50-9:10
3	刘墨曦	李京波	电子信息	基于空芯光纤传感器的弯曲、温度等多参量测量技术	9:10-9:30
4	杨雄	高伟李京波	微电子与固体电子学	1200 V SiC 结势垒肖特基二极管结构设计及其制备工艺研究	9:30-9:50
5	陈薪好	霍能杰	电子信息	基于碲/二硫化钼及二硫化钨双结型场效应晶体管的制备与电学特性研究	9:50-10:10
6	卜娜布其	霍能杰	电子信息	基于半金属MoTe₂的光电功能器件研究	10:10-10:30
7	桑宇恒	杨孟孟李京波	微电子学与固体电子学	基于二维二硒化铼异质结光电子器件的设计与性能的研究	10:30-10:50
8	葛原溥	李京波	微电子学与固体电子学	新型粉体制备高性能镁铝尖晶石陶瓷	10:50-11:10
9	陈建茹	高伟李京波	微电子学与固体电子学	基于SnSe0.75S0.25/MoTe2的多功能光电晶体管的制备及其性能研究	11:10-11:30
10	江美华	霍能杰	电子信息	基于MoTe₂/GeSe/MoS₂三层异质结的电输运和光电性能研究	11:30-11:50
11	张洁莲	霍能杰	电子信息	基于二维Ta₂NiSe₅的各向异性及偏振光探测研究	11:50-12:10
12	曹茗杰	高伟李京波	微电子学与固体电子学	SiC基少层MoS2陡峭型晶体管及其光电子器件的研究	12:10-12:30

五、答辩程序

1.答辩委员会主席宣布答辩委员会成员和秘书名单、学位申请人及指导教师姓名、学位论文题目等，并主持会议。

2.学位申请人宣读《论文原创性声明》。

3.学位申请人就论文的研究内容、研究方案、研究成果、创新之处等进行报告，硕士生陈述时间不少于15分钟，博士生陈述时间不少于30分钟。申诉再送审并通过的学位申请人，答辩时须对不同意答辩的评阅意见作出书面申辩说明，并提交答辩委员会讨论与审议。

4.答辩委员提问和学位申请人答辩时间，硕士生不少于15分钟，博士生不少于30分钟。

5.休会，答辩委员会举行内部会议进行评议，对学位论文的学术水平和答辩人的答辩情况进行评议，就是否通过学位论文答辩和建议授予学位进行表决，并形成答辩委员会决议。表决采取无记名投票方式，经全体委员2/3以上(含2/3)同意方为通过，否则为不通过，答辩委员会决议须由主席签字。

6.复会，由答辩委员会主席宣布答辩委员会表决结果和答辩委员会决议。

7.答辩委员会主席宣布论文答辩会结束。