陈洪宇

2020-05-27 20:10:00


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陈洪宇理学博士 副研究员。华南师范大学青年拔尖人才”。

2014年毕业于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光学及应用国家重点实验室,获得博士学位。从2009年起,致力于半导体光电材料及其探测、逻辑和存储器件领域的研究工作,参加过973等国家重大课题的研究工作,目前作为项目负责人主持了国家自然科学基金面上项目等10余项课题的研究工作。在Mater. Today、Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、ACS Nano等国内外重要学术期刊上发表论文60余篇。应邀在International Nanophotonics and Nanoenery Conference (INPEC)、全国发光学学术会议等多个国际国内会上作口头报告和邀请报告。

随着日新月异的科技进步,人们迎来了全新的工业4.0时代。当今的物联网时代是一个全新的智能化和信息化并生的时代,作为信息技术领域三大支柱之一的传感技术无疑是信息社会的重要技术基础,也是现代科技的开路先锋。如果说计算机是人类大脑的扩展,那么传感器就是人类五官的延伸。各种不同功能的传感器可以让我们“看”到原来看不见的物质(如紫外辐射),“听”到听原来听不见的声音(如超声波)。以光电传感器为例,工作在不同电磁波段的光电传感器可以把我们的视觉范围从肉眼的可见光( 400-760 nm)波段向短波长拓展到紫外( 10-400 nm),向长波长可以延伸到红外(760 nm - 1 mm)甚至是太赫兹( 0.1-10 THz)波段。随着自动化技术水平的逐年提升,一些具有特殊功能的信息光电子器件已经在现代化工业生产、宇宙开发、海洋探测、医学诊断、交通运输等诸多领域发挥了越来越大的作用。

本课题组热忱欢迎材料、物理、化学、半导体以及电子科学技术领域背景相关的青年学子以及青年英才/博士后加盟,一起来探索神奇的半导体光电世界。相信无论您来自何方,将来回首我们在华师共度的这段时光都会嘴角上扬。

联系方式:chenhy@m.scnu.edu.cn

工作经历: 

2019.12—至今   华南师范大学 半导体科学技术研究院, 副研究员/硕士生导师

2017.04—2019.11 哈尔滨工业大学 物理学院,讲师/硕士生导师

2014.07—2017.04 复旦大学 材料科学系,博士后研究员

发表论文: 

1.     Ying Wei, Xiao Liu,* Yu Miao, Yuxin Liu, Chuanglei Wang,a Xiangjing Ying, Gaotian Zhang, Huaimin Gu, Menglong Zhang*, Hongyu Chen*, A high-responsivity CsPbBr3 nanowire photodetector induced by CdS@CdxZn1xS gradient-alloyed quantum dots, Nanoscale Horiz., 2022, 7, 644.

2.     Wenhai Wang, Ruolan Mei, Qixiao Zhao, Cong Liu, Hongyu Chen,* Shichen Su*, Shuangpeng Wang, Activated Triplet Exciton Release for Highly Efficient Room Temperature Phosphorescence Based on S,N-Doped Polymeric Carbon Nitride, J. Phys. Chem. Lett. 2022, 13, 726.

3.     Yuan Pan, Qixiao Zhao, Feng Gao, Mingjin Dai, Wei Gao, Tao Zheng, Shichen Su, Jingbo Li,* Hongyu Chen*, Strong In-Plane Optical and Electrical Anisotropies of Multilayeredγ‑InSe for High-Responsivity Polarization-Sensitive Photodetectors, ACS Appl. Mater. Interfaces 2022, 14, 21383.

4.     Qixiao Zhao, Feng Gao, Hongyu Chen*, Wei Gao, Mengjia Xia, Yuan Pan, Hongyan Shi, Shichen Su, Xiaosheng Fang*, Jingbo Li*, High performance polarization-sensitive self-powered imaging photodetectors based on a p-Te/n-MoSe2 van der Waals heterojunction with strong interlayer transition, Mater. Horiz. 2021, 8, 3113.

5.     H. M. Shang, H. Y. Chen*, M. J. Dai, Y. X. Hu, F. Gao, H. H. Yang, B. Xu, S. C. Zhang, B. Y. Tan, X. Zhang, P. A. Hu* Mixed-dimensional 1D Se-2D InSe van der Waals heterojunction for high responsivity self-powered photodetectors, Nanoscale Horiz 2020, 5, 564.

6.     H. B. Wang, H. Y. Chen*, L. Li, Y. F. Wang, L. X. Su, W. P. Bian, B. S. Li*, X. S. Fang*, High Responsivity and High Rejection Ratio of Self-Powered Solar-Blind Ultraviolet Photodetector Based on PEDOT: PSS/β-Ga2O3 Organic/Inorganic p-n Junction, J. Phys. Chem. Lett. 201910, 6850.

7.      M. J. Dai, H. Y. Chen,* R. Feng, W. Feng, Y. X. Hu, H. H. Yang, P. A. Hu*. Dual-Band Multilayer InSe Self-Powered Photodetector with High Performance Induced by Surface Plasmon Resonance and Asymmetric Schottky Junction, ACS Nano 2018, 12, 8739-8747.

8.     H. Y. Chen, L. X. Su, M. M. Jiang, X. S. Fang*, Highly Desirable Photodetectors Derived from Versatile Plasmonic Nanostructures, Adv. Funct. Mater. 2017, 27, 1704181.

9.      H. Y. Chen, H. Liu, Z. M. Zhang, K. Hu, X. S. Fang*, Nanostructured Photodetectors: From Ultraviolet to Terahertz, Adv. Mater. 2016, 28, 403.

10.   H. Y. Chen, K. W. Liu, L. Hu, A. A. Al-Ghamdi, X. S. Fang*, New concept ultraviolet photodetectors. Mater. Today 2015, 18, 493.

 

ORCID: http://orcid.org/0000-0002-3926-1959

ResearcherID: http://www.researcherid.com/rid/Q-3709-2018

主讲课程:纳米结构物理