李京波和王启胜教授团队最近两项工作被选为“亮点论文”

在半导体器件物理中，光生载流子的输运机理是一个重要关键科学问题，解答好这一关键科学问题一方面有利于阐明半导体光电转换新机制，另一方面能指导后续器件工艺的优化，使半导体光电器件效率向理论极限靠近（Shockley–Queisser limitation）。针对上述科学问题，李京波和王启胜教授团队探索了两种新兴半导体-金属卤化物钙钛矿与二维In₂Se₃中光电子产生、扩散与复合机制，并取得重要研究进展：

1.扩散长度是决定光电转换效率的关键物理因素，然而金属卤化物钙钛矿光生载流子扩散机制尚不明确，李京波和王启胜教授团队首次提出一种简单的荧光成像法，阐明了表面缺陷态、空间维度、光功率密度等因素对扩散长度的影响原理，对于理解钙钛矿半导体光电子器件工作机理具有指导意义，相关研究成果发表在Appl. Phys. Lett. 115, 242104 (2019)，该工作等到了美国物理研究院期刊APL的高度关注，编辑精选（Editor’s picks）该工作在期刊头版发表。原文链接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5133979 。

2.在当前的冯•诺依曼架构中，光电传感器与存储器物理空间分离导致数据处理的功耗大、效率低和带宽窄。李京波和王启胜教授团队巧妙应用缺陷态工程，在二维In₂Se₃半导体实现了光电传感与存储集成器件，并提出缺陷态对光电信号操控的新原理，对于开发芯片集成的传感与存储器具有重要借鉴意义。相关研究成果发表在J. Phys. D: Appl. Phys.53 075108 (2020)，值得一提的是该工作被英国物理学会出版社IOP Publishing选中在其旗下媒体physics world做了亮点报道。

原文链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ab5737。

报道链接: https://physicsworld.com/a/nonvolatile-charge-memory-device-shows-excellent-room-temperature-performance/。