秦国刚院士是半导体材料物理专家，现任北京大学物理学院教授，为我国半导体材料物理事业做出了突出的贡献。他1956年7月毕业于北京大学物理系，1961年2月研究生毕业于该系（固体物理方向），2001年当选为中国科学院(技术科学部)院士。他长期从事半导体材料物理研究，他和他带领的研究组在半导体杂质与缺陷和多孔硅与纳米硅氧化硅体系发光领域做出系统的和创造性的成果。在国际上最早揭示硅中存在含氢深中心，最早揭示氢能显著影响肖特基势垒高度，首次观察到p-Si衬底上氧化硅发光中心的电致发光现象，首次制备出增强型纳米线MESFETs器件和最先观察到n-ZnO单根纳米线/p-Si异质结紫外电致发光现象 。

秦国刚院士将于12月2日（周一）上午九点为我们做主题为“等离子体激励下半导体中杂质室温扩散研究进展”的学术报告，报告结束后将会举行荣休仪式。