霍能杰，研究员，博士生导师，工学部电子科学与工程学院（微电子学院），广东省重点实验室副主任，华南师范大学“青年拔尖”

2015年博士毕业于中国科学院半导体研究所；2015年至2019年，在ICFO-西班牙光子科学研究所做博士后；2019年4月，入选华南师范大学“青年拔尖”人才计划，聘为研究员。主要面向后摩尔时代集成电路材料与器件，从事基于新材料、新原理和新结构的半导体信息器件的基础与应用研究工作，开发了系列新型二维材料、器件和芯片，解决了新一代半导体器件和集成电路中的原理性和工艺性难题，实现了高集成，低功耗和智能化集成电路应用。

近年来已在Nature Communications, Advanced Materials, ACS Nano, Advanced Functional Materials等国际重要学术期刊上发表SCI 学术论文100余篇，申请国家发明专利20余项，授权10项。论文SCI他引4500余次，H指数为29，ESI高被引论文3篇，单篇最高引用490余次。相关成果获得了“江西省自然科学一等奖”，获得了麻省理工学院等著名高校、《Science》等国际顶尖杂志、中美欧等科学院院士的积极评价和引用报道。

  研究领域：

（1）新一代低功耗晶体管及集成电路应用

（2）可重构仿生光电晶体管及机器视觉应用

（3）二维忆阻器及类脑神经突触研究

（4）神经形态光电探测器及感存算一体芯片研发

  联系方式：

邮箱：njhuo@m.scnu.edu.cn；电话：15625175619

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工作经历

2019/04 - 至今       研究员         华南师范大学

2015/10 - 2019/02    博士后    ICFO-The Institute of Photonic Sciences

代表性论文

[1] Adaptative machine vision with microsecond-level accurate perception beyond human retina. Ling Li, Shasha Li, Wenhai Wang, Jielian Zhang, Yiming Sun, Qunrui Deng, Tao Zheng, Jianting Lu, Wei Gao, Mengmeng Yang, Hanyu Wang, Yuan Pan, Xueting Liu, Yani Yang, Jingbo Li, Nengjie Huo*. Nature Communications 2024, 15:6261.

[2] Ultrasensitive all-2D MoS2 phototransistors enabled by an out-of-plane MoS2 PN homojunction. Nengjie Huo, Gerasimos Konstantatos. Nature Communications 2017, 8, 572.

[3] Polarization- and Gate-Tunable Optoelectronic Reverse in 2D Semimetal/Semiconductor Photovoltaic Heterostructure. Hanyu Wang, Yan Li, Peng Gao, Jina Wang, Xuefeng Meng, Yin Hu, Juehan Yang, Zihao Huang, Wei Gao, Zhaoqiang Zheng, Zhongming Wei,* Jingbo Li*, Nengjie Huo*. Advanced Materials 2024, 36, 2309371.

[4] Recent Progress and Future Prospects of 2D-based Photodetectors. Nengjie Huo, Gerasimos Konstantatos. Advanced Materials 2018, 30, 1801164.

[5] MoS2-HgTe Quantum Dot Hybrid Photodetectors beyond 2 µm. Nengjie Huo, Shuchi Gupta, Gerasimos Konstantatos. Advanced Materials 2017, 29, 1606576.

[6] Reconfigurable Vertical Phototransistor with MoTe2 Homojunction for High-Speed Rectifier and Multivalued Logical Circuits. Qunrui Deng, Tu Zhao, Jielian Zhang, Wenbo Yue, Ling Li, Shasha Li, Lingyu Zhu, Yiming Sun, Yuan Pan, Tao Zheng, Xueting Liu, Yong Yan,* and Nengjie Huo*, ACS Nano 2024, 18 (34), 23702.

[7] Thermally Oxidized Memristor and 1T1R Integration for Selector Function and Low-Power Memory. Zhidong Pan, Jielian Zhang, Xueting Liu, Lei Zhao, Jingyi Ma, Chunlai Luo, Yiming Sun, Zhiying Dan, Wei Gao, Xubing Lu, Jingbo Li, Nengjie Huo*. Advanced Science 2024, 2401915, DOI: 10.1002/advs.202401915.

[8] Ultra-Steep-Slope and High-Stability of CuInP₂S6/WS₂ Ferroelectric Negative Capacitor Transistors by Passivation Effect and Dual-Gate Modulation. Lei Zhao, Yunshan Liang, Jingyi Ma, Zhidong Pan, Xueting Liu, Mengmeng Yang, Yiming Sun, Wei Gao, Bo Li, Jingbo Li, Nengjie Huo*. Advanced Functional Materials 2023, 33, 2306708.

[9] 2D Short Channel Tunneling Transistor Relying on Dual Gate Modulation for Integrated Circuits Application. Ling Li, Qunrui Deng, Yiming Sun, Jielian Zhang, Tao Zheng, Wenhai Wang, Yuan Pan, Wei Gao, Jianting Lu, Jingbo Li*, Nengjie Huo*. Advanced Functional Materials 2023, 33, 2304591.

[10] Reconfigurable and Broadband Polarimetric Photodetector. Sina Li, Jielian Zhang, Lingyu Zhu, Kai Zhang, Wei Gao, Jingbo Li*, Nengjie Huo*. Advanced Functional Materials 2023, 33, 2210268.

[11] Thinning Solution-proceed 2D Te for p- and n- channel Junction Field Effect Transistor with High Mobility and Ideal Subthreshold Slope. Lingyu Zhu, Jielian Zhang, Xinhao Chen, Nabuqi Bu, Tao Zheng, Wei Gao, Fei Li, Yiming Zhao, Yiming Sun*, Shasha Li*, Nengjie Huo*, Jingbo Li. Advanced Functional Materials 2024, 34, 2316488.

[12] Short-Wave Infrared Photodetectors Based on β-In₂Se₃/Te Heterojunctions for Optical Communication and Polarimetric Imaging Applications. Jingxian Xiong, Qiang Yu, Xingang Hou, Bin Liu, Sina Li, Haiqin Deng, Zixin Yang, Jinyong Leng, Sicong Zhu, Yiming Sun, Zongfu Jiang, Nengjie Huo*, Jian Wu*, Pu Zhou*. Advanced Functional Materials 2024, 34, 2314972.

[13] Novel and Enhanced Optoelectronic Performances of Multilayer MoS2-WS2 Heterostructures Transistors. Nengjie Huo, Jun Kang, Zhongming Wei, Shu-Shen Li, Jingbo Li, Su-Huai Wei. Advanced Functional Materials 2014, 24, 7025.

[14] In-Sensor Polarimetric Optoelectronic Computing Based on Gate-Tunable 2D Photodetector. Yali Yu, Qunrui Deng, Kaiyao Xin, Nengjie Huo* and Zhongming Wei*. IEEE Electron Device Letters 2024, 45(4), 645-648.

[15] Polarization Resolved p-Se/n-WS2 Heterojunctions toward Application in Microcomputer System as Multivalued Signal Trigger. L. Li, G. Gao, X. Liu, Y. Sun, J. Lei, Z. Chen, Z. Dan, W. Gao, T. Zheng, X. Wang, N. Huo* and J. Li*. Small 2022, 18, 2202523.

授权专利

[1] 多环路全集成式低压降线性稳压器。霍能杰、梁添钧。中国发明专利，专利授权号：ZL202410373349.3，2024年7月5日授权

[2] 一种基于各向异性二维材料的偏振光探测及其制备方法。霍能杰、李京波、黎思娜。中国发明专利，专利申请号：ZL202110928510.5，2024年9月3号授权

[3] 基于 Ⅱ型范德华异质结近红外偏振光电探测器及其制备方法。霍能杰、张楠、李京波。中国发明专利，专利授权号：ZL202210316769.9，2024年1月6日授权

[4] 通讯波段红外探测器及其制备方法。李京波、霍能杰、刘柳。中国发明专利，专利授权号：ZL201910332683.3，2021年3月授权

[5] 一种新型SnO₂微米线及其制备的柔性电子器件和应用。李京波、霍能杰、徐志军、赵艳、魏钟鸣、陈洪宇。中国发明专利，专利授权号：ZL201911031713.3，2021年2月年授权

[6] 一种人工控制单层WS₂面内各向异性的方法。李翎、杨玉珏、霍能杰。中国发明专利，专利授权号：ZL202011077735.6，2022年7月授权

[7] 一种基于混维体系的高增益光探测器及其制备方法。李京波、霍能杰、但智颖。中国发明专利，专利授权号：ZL202110708829.7，2023年4月7日授权

[8] 一种大面积层状二维材料的剥离及其转移方法。黄颖、高伟、霍能杰、李京波。中国发明专利，专利授权号：ZL202110318141.8，2022年11月22日授权

[9] 一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器。李京波、杨淮、魏钟鸣，霍能杰。中国发明专利，专利授权号：ZL201911176005.9，2023年3月授权